兆驰半导体Micro LED技术再突破，4项新专利公布

Micro-LED技术

这颗显示领域的璀璨新星

正逐渐进入公众视野

凭借其卓越的亮度、对比度、能耗效率及超长寿命，Micro-LED已成为显示技术领域的一个重要发展趋向。然而，尽管前景广阔，Micro-LED仍面临芯片制造、巨量转移技术及全彩化等方面的技术瓶颈，导致生产成本高昂，尚未实现广泛商业化。尽管面临诸多挑战，Micro-LED的未来发展前景依然被看好，随着技术难题的逐步解决和生产成本的降低，Micro-LED有望成为下一代主流的显示技术。

什么是Micro-LED？

Micro-LED的英文全名是Micro Light Emitting Diode，中文称作微发光二极体，也可以写作μLED。其大小相当于人头发丝的1/10，具有无需背光，光电转换效率高、亮度大于105 cd/m2，对比度大于104：1，响应时间在ns级等特点，是将LED进行薄膜化、微小化和阵列化，使其体积达到大小只有主流LED的1%，像素点距离达到由毫米达到微米的一项技术。

进入12月

兆驰半导体又有4项

与Micro-LED相关的专利

获得公布或进入授权阶段

以下是具体专利信息：

“一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法”

12月10日

该专利进入授权阶段

本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延片及其制备方法，外延片中多量子阱发光层包括依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱层，第二浅蓝光多量子阱层，第三蓝光多量子阱层和第四浅蓝光多量子阱层；第一浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第一InGaN多量子阱层与第一多量子阱复合垒层的超晶格结构；第二浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第二InGaN多量子阱层与第二多量子阱复合垒层的超晶格结构；第三蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第三InGaN多量子阱层与Si掺GaN多量子垒层的超晶格结构；第四浅蓝光多量子阱层为依次周期性交替生长的第四InGaN多量子阱层与的超晶格结构。

实施本发明，可提高Micro-LED在低工作电流密度下的光效、良率。

“一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法”

12月10日

该专利进入授权阶段

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种蓝光Micro-LED的外延结构及其制备方法，外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力释放层，多量子阱发光层，电子阻挡层和P型半导体层，所述多量子阱发光层包括由下至上依次层叠生长的第一浅蓝光多量子阱子层，第二浅蓝光多量子阱子层，第三蓝光多量子阱子层和第四浅蓝光多量子阱子层，其中每层子层均为InGaN多量子阱层与多量子垒层的超晶格结构。

实施本发明，可降低生长InGaN量子阱时的应力，显著改善多量子阱发光层的质量，同时提高P型半导体层的空穴注入效率，从而提高Micro-LED芯片在低工作电流密度下的光效、良率等性能，适用于小尺寸、低电流以及低功率的蓝光Micro-LED。

“一种Micro-LED的外延结构及其制备方法”

12月3日

该专利进入授权阶段

本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种Micro-LED的外延结构及其制备方法，所述外延结构包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂GaN层，插入层，多量子阱层，电子阻挡层，P型掺杂GaN层和接触层；其中，所述插入层包括于所述N型掺杂GaN层上依次设置的AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层和InGaN层。

在N型掺杂GaN层和多量子阱层之间设置插入层，可以降低生长多量子阱层时的应力，并降低多量子阱层的位错密度，提高多量子阱层的晶体质量，从而提高Micro-LED的内量子效率，降低工作电压，提升发光亮度。

“低电压Micro-LED外延片及其制备方法”

12月3日

该专利进入审中公布阶段

本发明公开了一种低电压Micro-LED外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。

低电压Micro-LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层；其中，所述P型接触层包括依次层叠于所述P型GaN层上的多孔AlInN层、二维P型BGaN层、AlN粗化层、P型BInGaN纳米团簇层和P型AlInGaN粗化层；其中，所述多孔AlInN层通过H2刻蚀AlInN层制得，所述P型AlInGaN粗化层通过N2粗化P型AlInGaN层制得。实施本发明，可降低工作电压，且提升光提取效率，进而提升发光效率。

Micro-LED专利的公布和授权，不仅展示了兆驰半导体在新型显示技术领域的深厚积累和创新能力，也为Micro-LED技术的进一步发展和商业化应用奠定了坚实基础。

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原标题：《兆驰半导体Micro LED技术再突破，4项新专利公布》

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