三星电子全球首家量产3纳米芯片，计划2025年生产2纳米芯片

三星电子6月30日宣布，旗下华城工厂已利用3纳米全环绕栅极（GAA）制程工艺节点开始量产首批芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

韩联社30日报道称，与前几代使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的芯片不同，第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，大幅提升了效能。与三星5纳米工艺相比，第一代3纳米工艺可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。三星表示，将于明年投入的第二代3纳米工艺可使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

三星电子计划将3纳米制程工艺优先应用于高性能计算（HPC）芯片，再扩大至移动系统芯片（SoC）等。此外，三星电子还计划从2025年开始生产基于GAA的2纳米芯片，力争在先进芯片制造领域赶超台积电（TSMC）。

据调研机构集邦咨询（TrendForce）提供的数据，以今年第一季度为准，台积电的全球市场份额以53.6%位居第一，三星电子以16.3%位居第二。据悉，台积电计划下半年起量产3纳米芯片，再将GAA技术应用于其2纳米工艺。